IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) კონფერენციაზე, ინტელის წარმომადგენლები აპირებენ წარადგინონ დეტალური ინფორმაცია თავიანთ 32 ნმ. ტექნოლოგიური პროცესისა რომელიც მომავალში გამოიყენება მაღალმწარმოებლური მიკროპროცესორების წარმოებისთვის. მწარმოებლებმა შექმნეს სატესტო მიკროსქემა, რომლის ფართობი არის 0.171 კვ. მკმ. მასში ჩადებულია 2 მილიარდი ტრანზისტორი. მუშაობს 3.8 გჰც სიხშირეზე და 1.1 ვოლტზე.
ავღნიშნავთ, რომ რიგით 54–ე ყოვილწლიური IEDM კონფერენცია შედგება მიმდინარე წლის 15 დან 17 დეკემბრის ჩათვლით, სანფრანცისკოში.
|